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IRF6609TR1

廠家：: International Rectifier
封裝：: DirectFET? 等容 MT
數(shù)量：: 1332
說明：: MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC

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IRF6609TR1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：26 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時(shí)間：95 ns
功率耗散：89 W
最小工作溫度：- 40 C
下降時(shí)間：9.8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET MT
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.6 m Ohms
漏極連續(xù)電流：31 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

以上是IRF6609TR1的詳細(xì)信息，包括IRF6609TR1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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