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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRF640FP

IRF640FP

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-220FP
數(shù)量：: 972
說明：: MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp

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IRF640FP PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：27 ns
功率耗散：40 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：11 S
下降時間：25 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220FP
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.18 Ohms
漏極連續(xù)電流：18 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是IRF640FP的詳細信息，包括IRF640FP廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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