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IRF640NSPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 1026
說明：: MOSFET 30V 1 N-CH 150mOhm HEXFET 200V VDSS

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IRF640NSPBF-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IRF640NSPBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：23 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：19 ns
功率耗散：150 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：44.7 nC
下降時間：5.5 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：150 m Ohms
漏極連續(xù)電流：18 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF640NSPBF的詳細信息，包括IRF640NSPBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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