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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRF630STRR

IRF630STRR

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 3177
說明：: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

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IRF630STRR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：400 毫歐 @ 5.4A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：9A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：43nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：800pF @ 25V
功率 - 最大：3W
安裝類型：表面貼裝

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