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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRF634N

IRF634N

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220AB
數(shù)量：: 6894
說明：: MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp

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IRF634N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：28 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：16 ns
功率耗散：3.8 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：15 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.435 Ohms
漏極連續(xù)電流：8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：250 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRF634N的詳細信息，包括IRF634N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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