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IRF630NSTRRPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 900
說明：: MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC

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IRF630NSTRRPBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：27 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：14 ns
功率耗散：82 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：23.3 nC
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.3 Ohms
漏極連續(xù)電流：9.5 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRF630NSTRRPBF的詳細(xì)信息，包括IRF630NSTRRPBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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