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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPSH6N03LA G

IPSH6N03LA G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO251-3-11
數(shù)量：: 8487
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 25V 50A IPAK

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IPSH6N03LA G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.2 毫歐 @ 50A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：50A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2V @ 30µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：2390pF @ 15V
功率 - 最大：71W
安裝類型：通孔

以上是IPSH6N03LA G的詳細(xì)信息，包括IPSH6N03LA G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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