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IPSH6N03LB G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO251-3-11
數(shù)量：
 8496  
說明：
 MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
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IPSH6N03LB G-PG-TO251-3-11圖片

IPSH6N03LB G PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.3 毫歐 @ 50A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：50A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 40µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：2800pF @ 15V
功率 - 最大：83W
安裝類型：通孔

以上是IPSH6N03LB G的詳細(xì)信息，包括IPSH6N03LB G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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