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IPS10N03LA G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO251-3-11
數(shù)量:
 7794  
說明:
 MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
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IPS10N03LA G-PG-TO251-3-11圖片

IPS10N03LA G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:10.4 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:30A
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):2V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:11nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :1358pF @ 15V
功率 - 最大:52W
安裝類型:通孔

以上是IPS10N03LA G的詳細(xì)信息,包括IPS10N03LA G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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