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IPS10N03LAG

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-251
數(shù)量:
 8280  
說明:
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPS10N03LAG PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:18 ns
上升時(shí)間:4.8 ns
功率耗散:52 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:2.8 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-251
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):17.4 m Ohms
漏極連續(xù)電流:30 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPS10N03LAG的詳細(xì)信息,包括IPS10N03LAG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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