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IPS031N03L G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO251-3-11
數(shù)量:
 7290  
說明:
 MOSFET N-CH 30 V 90 A
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IPS031N03L G-PG-TO251-3-11圖片

IPS031N03L G PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號別名:IPS031N03LGXK
典型關閉延遲時間:34 ns
工廠包裝數(shù)量:1500
上升時間:6 ns
功率耗散:94 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :100 S
下降時間:5 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-251
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):4.4 m Ohms
漏極連續(xù)電流:90 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPS031N03L G的詳細信息,包括IPS031N03L G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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