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IPS03N03LBG

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-251
數(shù)量：: 8136
說明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPS03N03LBG PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：41 ns
上升時(shí)間：9 ns
功率耗散：115 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：6.2 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-251
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：5.1 m Ohms
漏極連續(xù)電流：90 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPS03N03LBG的詳細(xì)信息，包括IPS03N03LBG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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