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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPI100N08N3 G

IPI100N08N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-262
數(shù)量：: 4545
說明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPI100N08N3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPI100N08N3GHKSA1 IPI100N08N3GXKSA1 SP000474192
典型關(guān)閉延遲時間：22 ns
工廠包裝數(shù)量：500
功率耗散：100000 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：10 mOhms
漏極連續(xù)電流：70 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPI100N08N3 G的詳細(xì)信息，包括IPI100N08N3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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