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IPI11N03LA

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3
數(shù)量：: 6282
說明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPI11N03LA PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：500
上升時間：43 ns
功率耗散：52 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：2.8 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：18.5 m Ohms
漏極連續(xù)電流：30 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPI11N03LA的詳細信息，包括IPI11N03LA廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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