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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPI020N06NAKSA1

IPI020N06NAKSA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3-1
數(shù)量：: 873
說明：: MOSFET MV POWER MOS

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IPI020N06NAKSA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPI020N06N IPI020N06NXK
典型關(guān)閉延遲時間：51 ns
上升時間：45 ns
功率耗散：214 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：106 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：210 S
下降時間：19 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：PG-TO262-3
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2 Ohms
漏極連續(xù)電流：120 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPI020N06NAKSA1的詳細(xì)信息，包括IPI020N06NAKSA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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