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IPI037N08N3 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-262
數(shù)量:
 4302  
說(shuō)明:
 MOSFET N-KANAL POWER MOS
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IPI037N08N3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:IPI037N08N3GHKSA1 IPI037N08N3GXKSA1 SP000454278
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:45 ns
工廠包裝數(shù)量:500
功率耗散:214000 mW
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-262
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):3.75 mOhms
漏極連續(xù)電流:100 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:80 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPI037N08N3 G的詳細(xì)信息,包括IPI037N08N3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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