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IPD90R1K2C3ATMA2

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO252-3
數(shù)量:
 1494  
說明:
 MOSFET N-CH 900V 2.1A TO252-3
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IPD90R1K2C3ATMA2-PG-TO252-3圖片

IPD90R1K2C3ATMA2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):83W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):710 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):3.2 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 310μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):1.2 歐姆 @ 2.8A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):5.1A(Tc)
漏源電壓(Vdss):900 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:CoolMOS?
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Infineon Technologies

以上是IPD90R1K2C3ATMA2的詳細(xì)信息,包括IPD90R1K2C3ATMA2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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