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首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPDH4N03LA G

IPDH4N03LA G

廠(chǎng)家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 10753
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 60V 18A

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IPDH4N03LA G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：29 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：7 ns
功率耗散：94 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：90 S / 45 S
下降時(shí)間：4.6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：7.4 m Ohms
漏極連續(xù)電流：90 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPDH4N03LA G的詳細(xì)信息，包括IPDH4N03LA G廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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