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IPD60R385CP

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-252
數(shù)量:
 2800  
說明:
 MOSFET N-CH 600 V 9 A
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IPD60R385CP PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:IPD60R385CPBTMA1 IPD60R385CPXT SP000307381
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:40 ns
上升時(shí)間:5 ns
功率耗散:83 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.385 Ohms
漏極連續(xù)電流:9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是IPD60R385CP的詳細(xì)信息,包括IPD60R385CP廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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