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IPD60R3K3C6

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3
數(shù)量：: 3771
說明：: MOSFET N-CH 650V 1.7A

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IPD60R3K3C6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPD60R3K3C6BTMA1 IPD60R3K3C6XT SP000799130
功率耗散：18.1 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.97 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.7 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPD60R3K3C6的詳細信息，包括IPD60R3K3C6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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