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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPD053N06N

IPD053N06N

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 7686
說明：: MOSFET 60V TO-252

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IPD053N06N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：20 ns
上升時間：12 ns
功率耗散：83 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：27 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：75 S / 38 S
下降時間：7 ns
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：5.3 mOhms
漏極連續(xù)電流：45 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：Infineon

以上是IPD053N06N的詳細(xì)信息，包括IPD053N06N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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