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IPD048N06L3GBTMA1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO252-3
數(shù)量:
 7011  
說明:
 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
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IPD048N06L3GBTMA1-PG-TO252-3圖片

IPD048N06L3GBTMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):115W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):8400 pF @ 30 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):50 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 58μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):4.8 毫歐 @ 90A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):90A(Tc)
漏源電壓(Vdss):60 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:OptiMOS?
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Infineon Technologies

以上是IPD048N06L3GBTMA1的詳細信息,包括IPD048N06L3GBTMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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