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IPB600N25N3 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3
數(shù)量:
 3260  
說明:
 MOSFET N-channel POWER MOS
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IPB600N25N3 G-TO-263-3圖片

IPB600N25N3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GXT SP000676408
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:22 ns
上升時(shí)間:10 ns
功率耗散:136 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:22 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :47 S, 24 S
下降時(shí)間:8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263-3
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):60 mOhms
漏極連續(xù)電流:25 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:250 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是IPB600N25N3 G的詳細(xì)信息,包括IPB600N25N3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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