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IPB60R099C6

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 2277
說明：: MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor

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IPB60R099C6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPB60R099C6ATMA1 IPB60R099C6XT SP000687468
典型關(guān)閉延遲時間：75 ns
上升時間：12 ns
功率耗散：278 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：119 nC
下降時間：6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導通）：99 mOhms
漏極連續(xù)電流：37.9 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是IPB60R099C6的詳細信息，包括IPB60R099C6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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