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IPB038N12N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3
數(shù)量：: 1501
說明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPB038N12N3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPB038N12N3GATMA1 IPB038N12N3GXT SP000694160
工廠包裝數(shù)量：1000
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：158 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：165 S, 83 S
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.8 mOhms
漏極連續(xù)電流：120 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：120 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB038N12N3 G的詳細信息，包括IPB038N12N3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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