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HN7G05FU(TE85L,F)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 ES-6
數(shù)量:
 8123  
說明:
 兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V Vds=20V Ic=-100ma Id=50mA
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HN7G05FU(TE85L,F) PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:3000
包裝形式:Reel
最大功率耗散:200 mW
集電極連續(xù)電流:- 100 mA
封裝形式:ES-6
安裝風(fēng)格:Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min:30
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 10 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 50 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 50 V
晶體管極性:PNP
配置:Dual
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Toshiba

以上是HN7G05FU(TE85L,F)的詳細(xì)信息,包括HN7G05FU(TE85L,F)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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