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HN7G08FE-A(TE85L,F

廠家：: Toshiba
封裝：: ES-6
數(shù)量：: 9180
說明：: 兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vceo=50V Ic=-400mA IC=100mA

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HN7G08FE-A(TE85L,F PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：4000
包裝形式：Reel
最大功率耗散：100 mW
直流電流增益 hFE 最大值：1000
集電極連續(xù)電流：- 400 mA
封裝形式：ES-6
安裝風(fēng)格：Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min：300
增益帶寬產(chǎn)品fT：130 MHz
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 12 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 15 V
晶體管極性：PNP
配置：Dual
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是HN7G08FE-A(TE85L,F的詳細(xì)信息，包括HN7G08FE-A(TE85L,F廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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