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HN7G09FE(TE85L,F)

廠家：: Toshiba
封裝：: ES-6
數(shù)量：: 9185
說明：: 兩極晶體管 - BJT Vceo=50V Vds=30V Ic=100mA Id=100mA

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HN7G09FE(TE85L,F) PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：4000
包裝形式：Reel
最大功率耗散：100 mW
集電極連續(xù)電流：100 mA
封裝形式：ES-6
安裝風格：SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min：80
增益帶寬產(chǎn)品fT：250 MHz
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：10 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V
集電極—基極電壓 VCBO：50 V
晶體管極性：NPN
配置：Dual
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Toshiba

以上是HN7G09FE(TE85L,F)的詳細信息，包括HN7G09FE(TE85L,F)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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