GT30J341,Q

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-3P（N）
數(shù)量：: 918
說明：: IGBT TRANS 600V 30A TO3PN

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GT30J341,Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
工作溫度：175°C（TJ）
反向恢復(fù)時間 (trr)：50 ns
測試條件：300V，30A，24 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：80ns/280ns
柵極電荷：-
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：800μJ（開），600μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：230 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：120 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：59 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：托盤
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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