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GT30J65MRB,S1E

廠家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：
 TO-3P（N）
數(shù)量：
 1036  
說明：
 650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-
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GT30J65MRB,S1E-TO-3P（N）圖片

GT30J65MRB,S1E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
安裝類型：通孔
工作溫度：175°C（TJ）
反向恢復(fù)時間 (trr)：200 ns
測試條件：400V，15A，56 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：75ns/400ns
柵極電荷：70 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：1.4mJ（開），220μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：200 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，30A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：-
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是GT30J65MRB,S1E的詳細(xì)信息，包括GT30J65MRB,S1E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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