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GT30N135SRA,S1E

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-247
數(shù)量：: 869
說明：: D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A

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GT30N135SRA,S1E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-247-3
安裝類型：通孔
工作溫度：175°C（TJ）
反向恢復(fù)時間 (trr)：-
測試條件：300V，60A，39 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：-
柵極電荷：270 nC
輸入類型：標準
開關(guān)能量：-，1.3mJ（關(guān)）
功率 - 最大值：348 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，60A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：120 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1350 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是GT30N135SRA,S1E的詳細信息，包括GT30N135SRA,S1E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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