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GT100N12D5

廠家：: Goford Semiconductor
封裝：: 8-DFN（5x6）
數(shù)量：: 936
說明：: N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.

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GT100N12D5 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：120W
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3050 pF @ 60 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：50 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：10 毫歐 @ 35A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：70A
漏源電壓（Vdss）：120 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Goford Semiconductor

以上是GT100N12D5的詳細信息，包括GT100N12D5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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