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GT10J303(Q)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-220(NIS)-3
數(shù)量：: 927
說明：: IGBT 晶體管 IGBT, 600V, 10A

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GT10J303(Q) PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：50
安裝風格：Through Hole
集電極最大連續(xù)電流 Ic：10 A
封裝形式：TO-220(NIS)-3
最大工作溫度：+ 150 C
柵極/發(fā)射極最大電壓：20 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single
制造商：Toshiba

以上是GT10J303(Q)的詳細信息，包括GT10J303(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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