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FDR8305N

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SuperSOT?-8
數(shù)量：: 5139
說明：: MOSFET SSOT-8 N-CH DUAL 20V

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FDR8305N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：FDR8305N_NL
典型關(guān)閉延遲時間：35 ns
工廠包裝數(shù)量：750
上升時間：15 ns
功率耗散：0.8 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：24 S
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.015 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDR8305N的詳細信息，包括FDR8305N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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