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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDR836P

FDR836P

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SuperSOT-8
數(shù)量：: 6975
說明：: MOSFET DISC BY MFG 2/02

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FDR836P PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：225 ns
上升時間：14 ns
功率耗散：1800 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：14 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SuperSOT-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quint Drain Dual Source
漏極連續(xù)電流：6.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDR836P的詳細(xì)信息，包括FDR836P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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