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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FDN5630

FDN5630

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23-3
數(shù)量：: 3897
說明：: MOSFET SSOT-3 N-CH 60V

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FDN5630 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：FDN5630_NL
典型關(guān)閉延遲時間：15 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：6 ns
功率耗散：0.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：6 S
下降時間：6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SuperSOT
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.073 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDN5630的詳細(xì)信息，包括FDN5630廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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