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FDN5632N_F085

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-3
數(shù)量：: 6390
說明：: MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

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FDN5632N_F085 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：5.2 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：1.7 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：1.3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：98 m Ohms
漏極連續(xù)電流：1.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDN5632N_F085的詳細(xì)信息，包括FDN5632N_F085廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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