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FDC655BN_F123

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-6
數(shù)量：: 315
說明：: MOSFET 30V N-CHAN 0.025Ohms

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FDC655BN_F123 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：1.6 W
最小工作溫度：- 55 C
封裝形式：SSOT-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.025 Ohms
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC655BN_F123的詳細信息，包括FDC655BN_F123廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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