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FDC6561AN_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-6
數(shù)量：: 4635
說明：: MOSFET N-Channel 30V

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FDC6561AN_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：12 ns
上升時間：10 ns
功率耗散：0.9 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：5 S
下降時間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.095 Ohms
漏極連續(xù)電流：2.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC6561AN_Q的詳細信息，包括FDC6561AN_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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