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FDC6506P_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-6
數(shù)量：: 4608
說明：: MOSFET SSOT-6 P-CH -30V

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FDC6506P_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：14 ns
上升時間：8 ns
功率耗散：0.96 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.170 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 1.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDC6506P_Q的詳細(xì)信息，包括FDC6506P_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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