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FDB2552_F085

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263AB
數(shù)量:
 7380  
說(shuō)明:
 MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET
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FDB2552_F085-TO-263AB圖片

FDB2552_F085 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:36 ns
上升時(shí)間:29 ns
功率耗散:150 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:39 nC
下降時(shí)間:29 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263AB
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.097 Ohms
漏極連續(xù)電流:37 A
汲極/源極擊穿電壓:150 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDB2552_F085的詳細(xì)信息,包括FDB2552_F085廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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