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FDB2614

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 D2PAK（TO-263）
數(shù)量：
 3051  
說(shuō)明：
 MOSFET 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDB2614-D2PAK（TO-263）圖片

FDB2614 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：103 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時(shí)間：284 ns
功率耗散：260 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：72 S
下降時(shí)間：162 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0229 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：62 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDB2614的詳細(xì)信息，包括FDB2614廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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