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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > FCP9N60N

FCP9N60N

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 207
說明：: MOSFET SupreMOS 9A

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FCP9N60N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：36.9 ns
工廠包裝數(shù)量：400
上升時間：8.7 ns
功率耗散：83.3 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：7.5 S
下降時間：10.2 ns
包裝形式：Tube
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.33 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：5.7 A
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FCP9N60N的詳細(xì)信息，包括FCP9N60N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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