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FCPF190N60E

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220-3 整包
數量：: 2801
說明：: MOSFET 600V N-CHAN MOSFET

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FCPF190N60E PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：212 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：38 ns
功率耗散：39 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：82 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：20 S
下降時間：40 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220F
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導通）：190 mOhms
漏極連續(xù)電流：20.6 A
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FCPF190N60E的詳細信息，包括FCPF190N60E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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