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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > CSD75205W1015

CSD75205W1015

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 6-DSBGA（1x1.5）
數(shù)量：: 6066
說明：: MOSFET Dual PCh NexFET Pwr MOSFET

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CSD75205W1015 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：32 ns
商標(biāo)名：NexFET
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：5.3 ns
功率耗散：0.75 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：1.6 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：5 S
下降時間：17 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：WCSP-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：95 mOhms
漏極連續(xù)電流：- 1.2 A
閘/源擊穿電壓：- 6 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD75205W1015的詳細(xì)信息，包括CSD75205W1015廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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