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CSD86311W1723

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 12-DSBGA
數(shù)量：: 90
說(shuō)明：: MOSFET Dual P-Channel Nex FET Pwr MOSFET

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CSD86311W1723 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：13.2 ns
商標(biāo)名：NexFET
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：4.3 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：3.1 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：6.4 S
下降時(shí)間：2.9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：WCSP-12
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：29 mOhms
漏極連續(xù)電流：4.5 A
閘/源擊穿電壓：10 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD86311W1723的詳細(xì)信息，包括CSD86311W1723廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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