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CSD25201W15

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 9-DSBGA
數(shù)量:
 8991  
說明:
 MOSFET P-Channel NexFET Pwr MOSFET
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CSD25201W15-9-DSBGA圖片

CSD25201W15 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:51 ns
商標名:NexFET
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:11 ns
功率耗散:1.5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:4.3 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :12 S
下降時間:38 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:WCSP-9
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):33 mOhms
漏極連續(xù)電流:4 A
閘/源擊穿電壓:- 6 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments

以上是CSD25201W15的詳細信息,包括CSD25201W15廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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