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CSD25301W1015

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 6-UFBGA，DSBGA
數(shù)量：: 5931
說明：: MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs

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CSD25301W1015 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：29 ns
商標(biāo)名：NexFET
工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：1500 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：DSBGA-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：75 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：2.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD25301W1015的詳細(xì)信息，包括CSD25301W1015廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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