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CSD17552Q3A

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-SON（3.3x3.3）
數(shù)量：: 1116
說明：: MOSFET 30V N-Channel MOSFET

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CSD17552Q3A PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：11 ns
商標(biāo)名：NexFET
上升時間：7.4 ns
功率耗散：2.6 W
柵極電荷 Qg：9 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：106 S
下降時間：3.4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SON 3.3 x 3.3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：6.5 mOhms
漏極連續(xù)電流：60 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Texas Instruments

以上是CSD17552Q3A的詳細(xì)信息，包括CSD17552Q3A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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