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CSD17559Q5

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 8-PowerTDFN
數(shù)量:
 4918  
說(shuō)明:
 MOSFET 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET
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CSD17559Q5-8-PowerTDFN圖片

CSD17559Q5 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:32 ns
商標(biāo)名:NexFET
上升時(shí)間:41 ns
功率耗散:3.2 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:39 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :235 S
下降時(shí)間:14 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SON-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):1.5 mOhms
漏極連續(xù)電流:257 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Texas Instruments

以上是CSD17559Q5的詳細(xì)信息,包括CSD17559Q5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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